به گزارش خبرگزاری سیلاد و به نقل از زومیت، TSMC تولید انبوه تراشهها با لیتوگرافی N۲ (کلاس ۲ نانومتری) را آغاز کرد. این شرکت بیانیهی مطبوعاتیای در این مورد منتشر نکرده؛ اما پیشتر چندین بار اعلام کرده بود که لیتوگرافی N۲ طبق برنامه برای تولید انبوه در سهماههی چهارم ۲۰۲۵ آماده خواهد شد.
در وبسایت رسمی TSMC و در بخش معرفی لیتوگرافی ۲ نانومتری آمده: «لیتوگرافی ۲ نانومتری (N۲) شرکت TSMC طبق برنامه در سهماههی چهارم ۲۰۲۵ وارد فاز تولید انبوه شد.»
از نظر بهبود عملکرد، فناوری N۲ در مقایسه با نسل قبلی خود یعنی N۳E، بین ۱۰ تا ۱۵ درصد عملکرد بهتر در توان مصرفی یکسان، یا ۲۵ تا ۳۰ درصد کاهش مصرف انرژی در عملکرد مشابه را ارائه میدهد. همچنین، این فناوری تراکم ترانزیستور را برای طراحیهای ترکیبی (شامل منطقی، آنالوگ و SRAM) تا ۱۵ درصد و برای طراحیهای صرفاً منطقی تا ۲۰ درصد افزایش میدهد.
لیتوگرافی N۲ نخستین گرهی پردازشی TSMC است که از ترانزیستورهای نانوشیت با ساختار Gate-All-Around (GAA) بهره میبرد. در این معماری، گیت بهطور کامل کانال تشکیلشده توسط نانوشیتهای افقی را احاطه میکند که این امر کنترل الکترواستاتیکی را بهبود بخشیده، نشت جریان را کاهش میدهد و امکان ساخت ترانزیستورهای کوچکتر بدون افت عملکرد یا بهرهوری انرژی را فراهم میکند.
N۲ از خازنهای فوق پیشرفتهی فلز-عایق-فلز (SHPMIM) در شبکهی توزیع توان خود استفاده میکند که چگالی خازنی را بیش از دو برابر افزایش داده و مقاومت را تا ۵۰ درصد کاهش میدهد.
سیسی وی، مدیرعامل TSMC، پیشتر و در جریان گزارش درآمد شرکت گفته بود: «N۲ با بازدهی خوب در مسیر تولید انبوه در اواخر این سهماهه قرار دارد. ما انتظار داریم که در سال ۲۰۲۶ با حمایت کاربردهای گوشیهای هوشمند و هوش مصنوعی در بخش پردازشهای سنگین (HPC)، شاهد افزایش سریعتر تولید باشیم.»
TSMC تولید تراشههای ۲ نانومتری را در کارخانهی Fab ۲۲ واقع در کائوهسیونگ تایوان آغاز کرد. پیش از این انتظار میرفت که تولید N۲ ابتدا در کارخانهی Fab ۲۰ در هسینچو، نزدیک به مرکز تحقیق و توسعهی جهانی این شرکت، کلید بخورد. به نظر میرسد Fab ۲۰ کمی دیرتر وارد چرخهی تولید انبوه خواهد شد.
TSMC تولید انبوه تراشههای N۲ را در کارخانههای کاملاً جدید افزایش میدهد که همیشه چالشبرانگیز است. تایوانیها قصد دارند همزمان تولید تراشههای موبایل و طراحیهای بزرگتر برای هوش مصنوعی و HPC را در کارخانههای جدید آغاز کند که پیچیدگیهای بیشتری را بههمراه خواهد داشت.
راهاندازی همزمان دو کارخانهی مجهز به لیتوگرافی N۲ نتیجهی علاقهی شدید شرکای تجاری TSMC به این فناوری جدید است. در ادامه، هر دو کارخانه از اواخر سال ۲۰۲۶ برای ساخت تراشهها بر پایهی لیتوگرافی N۲P (نسخهی بهبودیافته N۲) و A۱۶ (نسخهای از N۲P با فناوری توزیع توان از پشت ویفر Super Power Rail) برای پردازندههای پیچیدهی هوش مصنوعی و HPC استفاده خواهند شد.
۲۲۷۳۲۳
