افزایش دوام باتری گوشیهای هوشمند با فناوری جدید سامسونگ و IBM
زمان انتشار: 27 دسامبر 2021 ساعت 14:01
دسته بندی: فناوری اطلاعات
شناسه خبر: 2723917
زمان مطالعه: 4 دقیقه
به گزارش سیلاد و به نقل از اسلشگیر، پژوهشگران IBM توضیح میدهند که بیشتر تراشههای مدرن مبتنی بر معماری ترانزیستورهای اثر میدان انتقال-جانبی (FETها) هستند، که مثالی از آن ترانزیستور اثر میدان همراه باله (finFET) است. این طراحی اخیرالذکر دربرگیرنده قرار دادن ترانزیستورها بر روی یک سطح ویفر میشود، در حالی که این طراحی جدید VTFET بر مبنای چیدمان ترانزیستورها به صورت عمود بر ویفر است.
به گفته این شرکت این وضعیت موجب ایجاد یک جریان عمودی میشود که برخی از محدودیتهای موجود را دور میزند، حداقل وقتی نوبت به چیزهایی همچون سایز تماس و طول گیت ترانزیستور برسد. به این ترتیب، بهینهسازی از طریق کاهش مقدار انرژی استفادهشده و ا افزایش سطح عملکرد امکانپذیر میشود.
به گفته IBM این پیشرفت قابلتوجه پتانسیلی برای «مقیاسبندی به ورای نانوورقه» نشان میدهد. این تکنولوژی میتواند منتج به برخی مزایا برای مصرفکنندگان شود؛ این دو شرکت توضیح دادهاند که این نوآوری تکنولوژیکی میتواند سبب شود که باتری اسمارتفونها یک هفته کامل را با یک بار شارژ کار کنند. این تکنولوژی همچنین میتواند مقدار انرژی مورد استفاده برای استخراج (ماینینگ) رمزارزها را کاهش داده و به طور بالقوه به چارهجویی درباره تغییرات عمده اقلیمی مرتبط با ارزشهای دیجیتال مبتنی بر بلاکچین کمک کند.
اینترنت اشیاء (IOT) نیز میتواند با این ابداع متحول شود، به طوری که این پژوهشگران خاطرنشان کردهاند که کاهش تقاضای انرژی میتواند دستگاههای هوشمند مانند سنسورهای متصل به شبکه را قادر به فعالیت «در محیطهای نامساعدتری» کند.
